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バルクマイクロマシニングとは、MEMS(マイクロマシン)作製技術の一つ。 基板もしくは厚膜(数十μm以上)を加工してMEMSデバイスを作製する技術の総称。(参考:サーフェイスマイクロマシニング) 主にSOI(Silicon On Insulator)ウエハや基板そのものを加工してデバイスを作製する。 従来は水酸化カリウム(KOH)や水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)などを用いたウエットエッチングによる加工が主流であったが、ICP-RIEによる深掘りエッチングが可能となり、これが主流となった。 ボッシュプロセスの発明により、シリコンを垂直に深掘りエッチングが可能となった。 == 加工技術の種類 == === LIGAプロセス === *シンクロトロン放射光 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「バルクマイクロマシニング」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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