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舛岡 富士雄（ますおか ふじお、1943年5月8日 - ）は日本の電子工学研究者。東北大学名誉教授。フラッシュメモリの発明者である。 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)。Surrounding Gate Transistor（SGT）の開発を行っている。2007年春の褒章受章者で紫綬褒章、2013年に文化功労者が贈られている。 == 来歴 == * 1943年 群馬県高崎市出身。 * 1962年 群馬県立高崎高等学校卒。 * 1966年 東北大学工学部電子工学科卒業。研究室は西澤潤一研究室。同大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程進学。 * 1968年 同修士課程修了、同博士後期課程進学。 * 1971年 同博士後期課程修了。工学博士（東北大学甲第1431号、学位論文『半導体インダクタンスに関する研究』）。株式会社東芝に入社。 * 1980年 NOR型フラッシュメモリを発明。 * 1986年 NAND型フラッシュメモリを発明。 * 1994年 同社退社、東北大学大学院情報科学研究科教授。 * 1996年 東北大学電気通信研究所教授。 * 1997年 IEEEモーリス・N・リーブマン記念賞受賞。 * 2004年 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社最高技術責任者(CTO)。 * 2007年 紫綬褒章。 * 2013年 文化功労者。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「舛岡富士雄」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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