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極端紫外線リソグラフィ (Extreme ultraviolet lithography、''EUV'' または ''EUVL''としても知られる) は、波長13.5nmに達する見込みの極端紫外線(EUV)波長を用いた次世代リソグラフィ 技術である。 ==EUVL 光源== 中性の原子や凝縮物質はEUV放射を発生することができない。物質がそれを放射するためにはイオン化をまず第一に起こさなければならない。EUV光は多価正イオンによって結合される電子でのみ発生することができる。例えば、+3の炭素イオン(3個の電子がすでに除かれている)から1つの電子を引き抜くには約65eVを必要とする〔webelements.com 〕。そのような電子は典型的な価電子より強固に拘束される。多価の正イオンが存在できるのは、高温高密度プラズマの中においてのみ可能であり、それ自身EUVを強く吸収する。EUVリソグラフィ用のキセノンやスズのプラズマ源は、放電生成かレーザー生成による。十分な処理能力を得るためには100Wを超過する出力が必要である。最先端技術の193nmのArFエキシマレーザーは200W/cm2の強度を提供しているが、EUVを生成するプラズマを生産するためのレーザーははるかに、約1011W/cm2の強度である必要がある。(レーザー出力が100Wに達する)193nmの光から 、(10kWを超過するレーザーまたは等価なエネルギー源の出力を必要とする)EUV光を発生させるために〔V. Bakshi, 2009 EUVL Workshop Summary, Sheraton Waikiki, Hawaii, July 13--17, 2009.〕、巨大なエネルギー負荷を課せられていることをこれは示している。EUV光源は20kWのCO2レーザーによって駆動され〔Cymer EUV light source 〕、それは電力変換効率は~10%で〔Cymer presentation at 2007 EUV Source Workshop 〕、消費電力は~200kWである。一方で100WのArF液浸レーザーは~1%の電力変換効率であり、消費電力は~10kWである。 開発中のプラズマベースのEUV光源の追加特性は、それらが部分的にさえコヒーレントでないということである〔IEEE Spectrum: A New Light Source 〕。これは現在の光リソグラフィーに使用されるKrFとArFのエキシマレーザーと異なっている。（多くの独立した波長のあらゆる方向に放射する）非コヒーレント光源を（波長の狭い帯域内の方向に制限のある範囲の中で放射する）部分的なコヒーレント光に変換するために、(望まない波長および方向に対する)フィルタをかけることが、電力損失（エネルギーロス）を一層低減させるために期待されている。 2008年現在では開発ツールは120Wの光源で1時間当たりウェハー4枚の処理能力を持っている〔ASML update on ADT 〕。100ウェハー毎時の要求に対しては、それゆえ3kWの光源が必要となるのだが、見通せる範囲では利用は出来ていない。しかしながら、EUVの光子計数は、フォトダイオードによって集められる1つの光子当たり生成された電子の数によって決定される。これは本質的に初期光電子のかなりばらつきのある二次電子放出比であるので、線量測定は大きいばらつきに左右されうる。実際、Gulliksonほかのデータは光電流感度の自然変動が~10%であることを示している。より最近のシリコンフォトダイオードのデータは依然この評価と一致している。EUV線量計の校正は重要な未解決の問題である。2次電子のばらつきはアヴァランシェ・フォトダイオードのノイズでよく知られた根本原因である。 高度に相対論的な真空管の自由電子レーザーとシンクロトロン放射源は、物質源よりもよい光源品質が得られるものの、高い強度を得るためには開発作業が必要となるだろう。いくつかの専用の工業用シンクロトロン光設備が建造され、それらの利用は半導体デバイスの製造も包括している。自由電子レーザーは、単色でコヒーレントな、また広がり角の狭い光を提供する。双方ともまた、X線波長域へのシームレスな進展を与え、利用可能な波長の連続領域を提供する〔Robert W. Hamm and Marianne E. Hamm, "The Beam Business: Accelerators in Industry", ''Physics Today'', June 2011, pp. 49-50〕。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「極端紫外線リソグラフィ」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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