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半導体ヘテロ構造 : ミニ英和和英辞書
半導体ヘテロ構造[はんどうたい]
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〔語彙分解〕的な部分一致の検索結果は以下の通りです。

: [はん]
  1. (n,n-adv,n-suf,n-pref) half 
半導体 : [はんどうたい]
 【名詞】 1. semiconductor 
導体 : [どうたい]
 (n) conductor (electricity)
テロ : [てろ]
 【名詞】 1. (abbr) terror 2. terrorism 3. (P), (n) (abbr) terror/terrorism
構造 : [こうぞう]
 【名詞】 1. structure 2. construction 

半導体ヘテロ構造 ( リダイレクト:ヘテロ接合 (半導体) ) : ウィキペディア日本語版
ヘテロ接合 (半導体)[へてろせつごう]

ヘテロ接合英語:heterojunction)とは異なる半導体接合である。通常は格子整合系または格子定数が近い材料系で作られる。
== 応用 ==

=== バンドギャップの違いを利用したもの ===
半導体はそれぞれ、固有のエネルギーバンドをもつ。このため、多くの場合、ヘテロ接合では、バンドギャップの違う半導体を接合することになる(このバンドの接合についてはアンダーソンの法則を参照)。この2つの半導体のエネルギーバンドの差を利用した研究(量子井戸超格子など)が盛んに行われている。応用例としては、半導体レーザーHEMTHBTなどがある。

抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
ウィキペディアで「ヘテロ接合 (半導体)」の詳細全文を読む

英語版ウィキペディアに対照対訳語「 Heterojunction 」があります。




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