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1T-SRAM(1トランジスタSRAM)はMoSys社が開発した擬似SRAM技術である。 == 概要 == 組込メモリとして従来のSRAMよりも高密度に集積できる。 Mosysは単トランジスタ・ストレージセル（bit cell）をDRAMのように使用し、コントロール回路によりビットセルがSRAMのように機能するようにしている（このコントローラーはDRAMの仕様であるプリチャージやリフレッシュを完全に隠蔽している）。 1T-SRAM（および通常PSRAM）は標準のシングルサイクルSRAMインターフェースを持ち、SRAMとして振舞うロジックが取り囲む。 単トランジスタ・ビットセルにより、1T-SRAMは従来型（6トランジスタ、もしくは「6T」）のSRAMに比べサイズが小さく高密度であり、eDRAMに向いている（原文：1T-SRAM is smaller than conventional (six-transistor, or “6T”) SRAM, and closer in size and density to embedded DRAM (eDRAM).)。 同時に1T-SRAMは複数メガビットのSRAMに比較しうるパフォーマンスを持ち、eDRAMより製造が容易であり、従来型のSRAMのように標準CMOSロジックプロセスで製造される。 MoSySは1T-SRAMをオンダイ組み込み用の物理IPとして市場に提供しており、SOC用途で使用可能である。 様々なファウンドリで利用可能であり、Chartered、SMIC、TSMC、UMCを含む。 エンジニアの中には1T-SRAMおよび「eDRAM」を同じものであるかのように言及する者もいる。それはファウンドリがMoSysの1T-SRAMを「eDRAM」として提供するからである。 抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア（Wikipedia）』 ■ウィキペディアで「1T-SRAM」の詳細全文を読む スポンサード リンク
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