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ショットキー欠陥 : ウィキペディア日本語版
ショットキー欠陥[しょっときーけっかん]

ショットキー欠陥(ショットキーけっかん、)とは、結晶中において、格子点イオンが結晶の外に出た後に空孔が残った欠陥のこと。アルカリハライド結晶NaClRbICsI など)にて観察される。ショットキー欠陥の生成により、密度が変化するが、電気伝導性は増加しない。その名はヴァルター・ショットキーにちなむ。
ショットキー欠陥の欠陥密度の式表現は、熱力学で知られているボルツマン分布や、より正確には統計力学のフェルミ・ディラック分布で表現される。
具体的に、ボルツマン分布で近似した場合、ショットキー欠陥の密度式は、以下のような式になる。
C=A \exp(\frac)
ただし
C:欠陥密度
A:比例定数
E_f:空孔の形成に必要なエネルギー。(一般に、物質の融点が低いほど、空孔形成エネルギーは小さい。)
k:ボルツマン係数
T:絶対温度。(ケルビン単位。)
である。
== 脚注 ==


抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
ウィキペディアで「ショットキー欠陥」の詳細全文を読む



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